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1、特性
薄膜工艺制作的电阻网络衰减芯片
电极结构TaN/TiW/Ni/Au,金属厚度至少4um
频率高至26GHz,衰减范围1dB~90dB
2、运用
同轴固定衰减器
大功率同轴固定衰减器
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